ALD110908SAL

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ALD110908SAL
FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
管子
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: $4.4339
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50

$4.4339

$221.6950

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FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
管子
0
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列EPAD®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12mA, 3mA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2.5pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs500Ohm @ 4.8V
Vgs(th)(最大值)@Id820mV @ 1µA
供应商设备包8-SOIC
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86-13826519287‬

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