BY25D20ASOIG(R)

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BY25D20ASOIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
2 MBIT, 3.0V (2
卷带式 (TR)
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: $0.1212
: 0

5000

$0.1212

$606.0000

10000

$0.1111

$1,111.0000

25000

$0.1010

$2,525.0000

50000

$0.1010

$5,050.0000

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BY25D20ASOIG(R)
BY25D20ASOIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
2 MBIT, 3.0V (2
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小2Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-TSSOP
写入周期时间 - 字、页2.4ms
内存接口SPI - Dual I/O
存取时间7 ns
记忆组织256K x 8
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86-13826519287‬

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