BY25Q40GWUIG(R)

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BY25Q40GWUIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
4MBIT, WIDE VCC
卷带式 (TR)
0
: $0.1111
: 0

30000

$0.1111

$3,333.0000

75000

$0.1010

$7,575.0000

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BY25Q40GWUIG(R)
BY25Q40GWUIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
4MBIT, WIDE VCC
卷带式 (TR)
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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-UFDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小4Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源1.65V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率85 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-USON (2x3)
写入周期时间 - 字、页3ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间17 ns
记忆组织512K x 8
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86-13826519287‬

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