EPC7020GC

  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
EPC7020GC
单 FET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 20
散装
0
: $319.9680
: 0

1

$319.9680

$319.9680

10

$299.6872

$2,996.8720

image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
image of 单 FET、MOSFET>EPC7020GC
EPC7020GC
EPC7020GC
单 FET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 20
散装
0
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商EPC Space
系列eGaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱5-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C80A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 7mA
供应商设备包5-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)200 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1313 pF @ 100 V
captcha

86-13826519287‬

0