FBG04N08ASH

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FBG04N08ASH
单 FET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 40
散装
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$396.6775

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$381.7699

$3,817.6990

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FBG04N08ASH
单 FET、MOSFET
EPC Space
GAN FET HEMT 40
散装
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产品参数
类型描述
制造商EPC Space
系列e-GaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs24mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 2mA
供应商设备包4-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.8 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds312 pF @ 20 V
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86-13826519287‬

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