FBG30N04CSH

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FBG30N04CSH
FET、MOSFET 阵列
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
散装
50
: $425.5130
: 50

1

$425.5130

$425.5130

10

$409.5146

$4,095.1460

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FBG30N04CSH
FBG30N04CSH
FET、MOSFET 阵列
EPC Space
GANFET 2N-CH 30
散装
50
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商EPC Space
系列eGaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱4-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)300V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C4A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds450pF @ 150V
Rds On(最大)@Id、Vgs404mOhm @ 4A, 5V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs2.6nC @ 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.8V @ 600µA
供应商设备包4-SMD
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86-13826519287‬

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