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$10.8777
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500
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$4,110.7000
1000
$7.9689
$7,968.9000
类型 | 描述 |
制造商 | GeneSiC Semiconductor |
系列 | G3R™ |
包裹 | 管子 |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | TO-247-4 |
安装类型 | Through Hole |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
场效应管类型 | N-Channel |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
功耗(最大) | 207W (Tc) |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.69V @ 7.5mA |
供应商设备包 | TO-247-4 |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 15V |
Vgs(最大) | +22V, -10V |
漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 54 nC @ 15 V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1560 pF @ 800 V |