TP44100SG

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TP44100SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
卷带式 (TR)
2969
: $3.3330
: 2969

1

$5.5550

$5.5550

10

$4.7975

$47.9750

100

$4.1713

$417.1300

500

$3.3330

$1,666.5000

3000

$3.3330

$9,999.0000

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TP44100SG
TP44100SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
卷带式 (TR)
2969
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 11mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds110 pF @ 400 V
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86-13826519287‬

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