TP65H050WS

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TP65H050WS
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
317
: $17.8467
: 317

1

$17.8467

$17.8467

30

$14.4430

$433.2900

120

$13.5946

$1,631.3520

510

$12.3220

$6,284.2200

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TP65H050WS
TP65H050WS
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
管子
317
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C34A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)119W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V
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86-13826519287‬

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