TP65H070G4LSGB-TR

  • image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4LSGB-TR
  • image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2981
: $5.7974
: 2981

1

$10.8979

$10.8979

10

$9.3425

$93.4250

100

$7.7871

$778.7100

500

$6.8680

$3,434.0000

1000

$6.1812

$6,181.2000

3000

$5.7974

$17,392.2000

image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4LSGB-TR
image of 单 FET、MOSFET>TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2981
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.6V @ 700µA
供应商设备包8-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V
captcha

86-13826519287‬

0