TP65H070LDG-TR

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TP65H070LDG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 25 A GAN
卷带式 (TR)
1630
: $12.7462
: 1630

1

$12.7462

$12.7462

10

$11.2312

$112.3120

100

$9.7162

$971.6200

500

$8.7971

$4,398.5500

1000

$8.0699

$8,069.9000

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TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 25 A GAN
卷带式 (TR)
1630
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列TP65H070L
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C25A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9.3 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V
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86-13826519287‬

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