TP65H150G4LSG-TR

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TP65H150G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 13 A GAN
卷带式 (TR)
5887
: $2.3735
: 5887

1

$4.8682

$4.8682

10

$4.0905

$40.9050

100

$3.3027

$330.2700

500

$2.9391

$1,469.5500

1000

$2.5149

$2,514.9000

3000

$2.3735

$7,120.5000

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TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 13 A GAN
卷带式 (TR)
5887
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
功耗(最大)52W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds598 pF @ 400 V
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86-13826519287‬

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