TP65H480G4JSG-TR

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TP65H480G4JSG-TR
单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2815
: $2.9997
: 2815

1

$2.9997

$2.9997

10

$2.5149

$25.1490

100

$2.0402

$204.0200

500

$1.8079

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1000

$1.5554

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$1.4645

$2,929.0000

4000

$1.4645

$5,858.0000

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TP65H480G4JSG-TR
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单 FET、MOSFET
Transphorm
GANFET N-CH 650
卷带式 (TR)
2815
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
功耗(最大)13.2W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V
Vgs(最大)±18V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds760 pF @ 400 V
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86-13826519287‬

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