XP4N4R2H

  • image of 单 FET、MOSFET>XP4N4R2H
  • image of 单 FET、MOSFET>XP4N4R2H
XP4N4R2H
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
卷带式 (TR)
1000
: $0.9696
: 1000

1

$2.1412

$2.1412

10

$1.7776

$17.7760

100

$1.4140

$141.4000

500

$1.2019

$600.9500

1000

$1.0201

$1,020.1000

3000

$0.9696

$2,908.8000

6000

$0.9292

$5,575.2000

9000

$0.8989

$8,090.1000

image of 单 FET、MOSFET>XP4N4R2H
image of 单 FET、MOSFET>XP4N4R2H
XP4N4R2H
XP4N4R2H
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 40V
卷带式 (TR)
1000
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP4N4R2
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C75A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs4.2mOhm @ 40A, 10V
功耗(最大)2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
供应商设备包TO-252
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs44.8 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4000 pF @ 20 V
captcha

86-13826519287‬

0