XP6N090N

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XP6N090N
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
卷带式 (TR)
990
: $0.1414
: 990

1

$0.4242

$0.4242

10

$0.3636

$3.6360

100

$0.2525

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500

$0.2020

$101.0000

1000

$0.1616

$161.6000

3000

$0.1414

$424.2000

6000

$0.1414

$848.4000

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$0.1313

$1,181.7000

30000

$0.1212

$3,636.0000

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$0.1212

$9,090.0000

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XP6N090N
XP6N090N
单 FET、MOSFET
YAGEO XSEMI
MOSFET N-CH 60V
卷带式 (TR)
990
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商YAGEO XSEMI
系列XP6N090
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
功耗(最大)1.25W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
供应商设备包SOT-23
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)60 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs16 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds720 pF @ 15 V
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86-13826519287‬

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